GH50H65DRB2-7AG

GH50H65DRB2-7AG

零件编号: GH50H65DRB2-7AG
产品分类: 单管 IGBT
制造商: STMicroelectronics
描述: IGBT
包装: Bulk
ROHS状态: Yes
货币: USD
PDF: 资料

规格

  • 零件状态 Active
  • 安装类型 Surface Mount
  • 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 等级 Automotive
  • 认证 AEC-Q101
  • 封装 / 外壳 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • 输入类型 Standard
  • 集电极脉冲电流 (Icm) 200 A
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 650 V
  • IGBT类型 Trench Field Stop
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
  • 测试条件 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
  • 最大功率 385 W
  • 集电极电流(Ic)(最大值) 108 A
  • 供应商器件封装 H2PAK-7
  • 栅极电荷 152 nC
  • 开关能量 557µJ (off)
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C -/117ns
  • 反向恢复时间 912 ns